发明名称 Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
摘要 Eine Halbleitervorrichtung (100) der vorliegenden Erfindung weist ein Bond-Ziel und einen mit dem Bond-Ziel verbundenen Elektrodenanschluss (3) auf. Der Elektrodenanschluss (3) und das Bond-Ziel werden durch Ultraschall-Bonden an einer Bond-Oberfläche (3j) verbunden, die einem Bonden auszusetzen ist. Der Elektrodenanschluss (3) weist ein Eindring-Vertiefungsteil auf, das auf mindestens zwei Seiten von der Bond-Oberfläche (3j) umgeben ist.
申请公布号 DE102015220639(A1) 申请公布日期 2016.05.12
申请号 DE201510220639 申请日期 2015.10.22
申请人 Mitsubishi Electric Corporation 发明人 Yoneda, Yutaka;Ishibashi, Hidetoshi;Kikuchi, Masao;Yanagimoto, Tatsunori
分类号 H01L23/488;H01L21/60 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人
主权项
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