发明名称 |
Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung (100) der vorliegenden Erfindung weist ein Bond-Ziel und einen mit dem Bond-Ziel verbundenen Elektrodenanschluss (3) auf. Der Elektrodenanschluss (3) und das Bond-Ziel werden durch Ultraschall-Bonden an einer Bond-Oberfläche (3j) verbunden, die einem Bonden auszusetzen ist. Der Elektrodenanschluss (3) weist ein Eindring-Vertiefungsteil auf, das auf mindestens zwei Seiten von der Bond-Oberfläche (3j) umgeben ist. |
申请公布号 |
DE102015220639(A1) |
申请公布日期 |
2016.05.12 |
申请号 |
DE201510220639 |
申请日期 |
2015.10.22 |
申请人 |
Mitsubishi Electric Corporation |
发明人 |
Yoneda, Yutaka;Ishibashi, Hidetoshi;Kikuchi, Masao;Yanagimoto, Tatsunori |
分类号 |
H01L23/488;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L23/488 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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