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Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem ersten Fügepartner (1), der als Halbleiterchip (5) ausgebildet ist, und einem zweiten Fügepartner (2), der als Substrat (6) ausgebildet ist, das eine metallische Oberfläche aufweist, mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines ersten Fügepartners (1), der eine erste Verbindungsfläche (11) aufweist, sowie einen von der ersten Verbindungsfläche (11) verschiedenen, zu schützenden Oberflächenabschnitt (12); Bereitstellen eines zweiten Fügepartners (2), der eine zweite Verbindungsfläche (21) aufweist; Aufbringen einer Schutzschicht (3) auf den zu schützenden Oberflächenabschnitt (12) derart, dass der zu schützende Oberflächenabschnitt (12) vollständig von der Schutzschicht (3) bedeckt ist; Herstellen einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen der ersten Verbindungsfläche (11) und der zweiten Verbindungsfläche (21) in einem Zustand, in dem die Schutzschicht (3) aufgebracht ist; zumindest teilweises Entfernen der Schutzschicht (3) von dem zu schützenden Oberflächenabschnitt (12) nach dem Herstellen der stoffschlüssigen Verbindung. |
