| 摘要 |
본 발명은 박막 트랜지스터 스위치(20) 및 그 제조방법을 제공하며, 스위치는 게이트(G), 드레인(D), 소스(S), 반도체층(23) 및 제 4 전극(B)을 포함하며, 드레인(D)은 제 1 신호에 연결되고, 게이트(G)는 제어신호에 연결되어 스위치의 도통 또는 차단을 제어하며, 스위치가 도통 시 소스(S)는 상기 제 1 신호를 출력하고, 제 4 전극(B)과 게이트(G)는 각각 반도체층(23)의 양측에 설치되며, 또한 제 4 전극(B)은 도전성 재료로서, 필요에 따라 상이한 전위에 연결된다. 상기 방식을 통해, 스위치가 차단 상태일 때 채널 중의 누설 전류를 저하시켜 스위치의 특성을 개선한다. |
