| 发明名称 |
APPARATUS FOR SPUTTERING AND A METHOD OF FABRICATING A METALLIZATION STRUCTURE |
| 摘要 |
금속 배선 구조(1)의 적층 방법은 양극과 음극 사이에 복수의 펄스로 전원을 인가하여 타겟(12)에서 기판(2)으로 탄탈을 반응적으로 스퍼터링하여 TaN 시드층(4)을 형성함으로써 TaN 층(4)을 적층하는 것을 포함한다. 복수의 펄스로 전원을 인가하고 기판(2) 지지대에 고주파수 신호를 인가하여 기판(2) 주변에 자기-바이어스 전기장을 발생시킴으로써 TaN 시드층(4) 위에 탄탈층(5)이 적층된다. |
| 申请公布号 |
KR20160052806(A) |
申请公布日期 |
2016.05.12 |
| 申请号 |
KR20167011413 |
申请日期 |
2009.04.03 |
| 申请人 |
EVATEC ADVANCED TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
WEICHART JUERGEN;ELGHAZZALI MOHAMED;BAMMESBERGER STEFAN;MINKOLEY DENNIS |
| 分类号 |
C23C14/34;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/50;H01J37/34;H01L21/285 |
主分类号 |
C23C14/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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