发明名称 |
SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT |
摘要 |
본 발명은, 간이하고 또한 저비용으로 제조할 수 있고, 큰 터널 전류가 얻어져, 우수한 동작 특성을 갖는 반도체 소자 및 그의 제조 방법, 그리고 상기 반도체 소자를 갖는 반도체 집적 회로를 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명의 반도체 소자는, 아이소일렉트로닉 트랩 형성 불순물을 포함하는 간접 전이형 반도체의 반도체 영역으로 터널 접합의 전체 또는 일부가 구성되는 것을 특징으로 한다. |
申请公布号 |
KR20160052608(A) |
申请公布日期 |
2016.05.12 |
申请号 |
KR20167008297 |
申请日期 |
2014.07.30 |
申请人 |
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCEAND TECHNOLOGY |
发明人 |
MORI TAKAHIRO |
分类号 |
H01L29/739;H01L21/205;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/73 |
主分类号 |
H01L29/739 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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