发明名称 SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
摘要 본 발명은, 간이하고 또한 저비용으로 제조할 수 있고, 큰 터널 전류가 얻어져, 우수한 동작 특성을 갖는 반도체 소자 및 그의 제조 방법, 그리고 상기 반도체 소자를 갖는 반도체 집적 회로를 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명의 반도체 소자는, 아이소일렉트로닉 트랩 형성 불순물을 포함하는 간접 전이형 반도체의 반도체 영역으로 터널 접합의 전체 또는 일부가 구성되는 것을 특징으로 한다.
申请公布号 KR20160052608(A) 申请公布日期 2016.05.12
申请号 KR20167008297 申请日期 2014.07.30
申请人 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCEAND TECHNOLOGY 发明人 MORI TAKAHIRO
分类号 H01L29/739;H01L21/205;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/73 主分类号 H01L29/739
代理机构 代理人
主权项
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