| 摘要 |
본 발명은 단계 1: 기판(20)을 제공하는 단계; 단계 2: 기판(20)에 소정 구조의 게이트(22)를 형성하는 단계; 단계 3: 게이트(22)와 기판(20) 위에 게이트 절연층(24)을 형성하는 단계; 단계 4: 게이트 절연층(24) 위에 소정 구조의 금속 신호선(26)을 형성하는 단계; 단계 5: 게이트 절연층(24) 위에 소정 구조의 산화물 반도체층(28)을 형성하는 단계; 단계 6: 게이트 절연층(24), 금속 신호선(26), 산화물 반도체층(28) 위에 소정 구조의 패시베이션층(32)을 형성하는 단계; 단계 7: 상기 금속 신호선(26), 산화물 반도체층(28), 패시베이션층(32) 위에 소정 구조의 소스/드레인(34)을 형성함으로써, 박막 트랜지스터 기판을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 박막 트랜지스터 기판을 제공한다. |
