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Halbleitermodul aufweisend: ein elektrisch leitendes unteres Kontaktstück (31) und ein in einer vertikalen Richtung (v) von diesem beabstandetes, elektrisch leitendes oberes Kontaktstück (32); eine als geschlossener Ring ausgebildete Gehäuseseitenwand (7), die sich in der vertikalen Richtung (v) vom unteren Kontaktstück (31) bis zum oberen Kontaktstück (32) erstreckt, die an ihrer dem oberen Kontaktstück (32) zugewandten Seite einen oberen Vorsprung (72) aufweist, der in eine zweite Nut (320) des oberen Kontaktstückes (32) eingreift; eine Anzahl von N ≥ 1 Halbleiterchips (1), von denen ein jeder – einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12) aufweist; – mit seinem zweiten Lastanschluss (12) elektrisch leitend mit dem unteren Kontaktstück (31) verbunden ist; und – mittels wenigstens eines an den ersten Lastanschluss (11) gebondeten Bonddrahtes (4) mit dem oberen Kontaktstück (32) elektrisch leitend verbunden ist; ein stufig ausgebildetes, elektrisch leitendes Kontaktblech (5), das einen ersten Absatz (51) und einen zweiten Absatz (52) aufweist, wobei ein jeder der Bonddrähte (4) an den zweiten Absatz (52) gebondet ist; und ein Explosionsschutzmittel (62), das zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem oberen Kontaktstück (32) angeordnet ist und in das ein jeder der Bonddrähte (4) über wenigstens 80% seiner Länge eingebettet ist, wobei der erste Absatz (51) das obere Kontaktstück (32) unmittelbar kontaktiert. |
