| 摘要 |
Verfahren zum Bilden einer Tandem-Fotovoltaikeinheit, wobei das Verfahren aufweist: Bereitstellen (102) von massivem Germanium oder einer auf einem Siliciumsubstrat gebildeten Germaniumschicht; Nassätzen der Germaniumschicht unter Verwendung eines sauren Ätzmittels, das Phosphorsäure, Wasserstoffperoxid und Ethanol in einem Verhältnis von 1:1:1 enthält; Bilden pyramidenartiger Formen (106; 108) in der Germaniumschicht derart, dass (111)-Kristallflächen (104) freigelegt werden, um eine texturierte Oberfläche zu bilden; Dotieren einer oberen Oberfläche (110) der Germaniumschicht, um einen ersten p-n-Übergang auf oder oberhalb der texturierten Oberfläche zu bilden; Abscheiden einer ersten Halbleiterschicht (112), die der texturierten Oberfläche folgt, auf der oberen Oberfläche, wobei die erste Halbleiterschicht eine GaAs-Schicht oder Legierungen daraus enthält; Dotieren eines Teils der ersten Halbleiterschicht, um einen zweiten p-n-Übergang (132) zu bilden; Abscheiden einer zweiten Halbleiterschicht (116), die dem Profil der texturierten Oberfläche folgt, auf der ersten Halbleiterschicht, wobei die zweite Halbleiterschicht eine GaP-Schicht oder Legierungen daraus enthält; und Dotieren eines Teils der zweiten Halbleiterschicht, um einen dritten p-n-Übergang (134) zu bilden. |
