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Bondkontaktstelle (1) auf einem Halbleitersubstrat (2) mit einer Verstärkungsstruktur (10), umfassend wenigstens eine auf dem Halbleitersubstrat (2) angeordnete erste Metallschicht (3) zur Aufnahme der ein Muster aufweisende Verstärkungsstruktur (10), einer als Bondkontaktschicht (4) mit einer Bondierungs-Fläche (5) oberhalb der ersten Metallschicht (3) angeordneten dritten Metallschicht, wobei die Bondierungs-Fläche (5) durch die Öffnung einer Passivierungsschicht (13) definiert wird und die Bondkontaktschicht (4) einen Rand (5a) unterhalb der Passivierungsschicht (13) ausbildet und die Passivierungsschicht (13) die Bondkontaktschicht (4) allseitig am Rand (5a) überlappt, und die Verstärkungsstruktur (10) von oben auf die Bondierungs-Fläche (5) gesehen unterhalb der Bondierungs-Fläche (5) innerhalb der ersten Metallschicht (3) ausgebildet ist, und die Verstärkungsstruktur (10) dielektrische Inseln (11, 12) umfasst, und in der ersten Metallschicht (3) ein Rahmen (3c) ausgebildet ist, der die Verstärkungsstruktur (10) umschließt, und oberhalb der ersten Metallschicht (3) eine durch eine erste Dielektrikumsschicht (8) beabstandete zweite Metallschicht (7) ausgebildet ist, und die zweite Metallschicht (7) ein Rahmen (7a) ausbildet, und erste Dielektrikumsschicht (8) die auf der Verstärkungsstruktur (10) aufweisenden ersten Metallschicht (3) angeordnet ist und auf der ersten Dielektrikumsschicht (8) eine zentrisch angeordnete Dielektrikumsinsel (14) ausgebildet ist, wobei die Dielektrikumsinsel (14) von dem zweiten Rahmen (7a) umschlossen ist, und der Inselbereich nur aus Dielektrikum besteht, und der erste Metallrahmen (3c) und der zweite Metallrahmen (7a) mittels Durchkontaktierungen (15) elektrisch verbunden sind, und zwischen der zweiten Metallschicht (7) und der Bondkontaktschicht (4) eine zweite Dielektrikumsschicht (6) ausgebildet ist und im Bereich des Randes (5a) der Bondierungs-Fläche (5) die Bondkontaktschicht (4) über in der zweiten Dielektrikumsschicht (6) angeordnete Durchkontaktierungen (16) mit der zweiten Metallschicht (7) elektrisch verbunden ist, und die jeweiligen äußeren Ränder der beiden Metallrahmen (3c, 7a) und dem Rand (5a) der Bondkontaktschicht (4) jeweils gegeneinander lateral versetzt sind, und der Metallrahmen (3c) in der ersten Metallschicht (3) eine größere Breite als der Metallrahmen (7a) in der zweiten Metallschicht (7) aufweist. |
