发明名称 HIGH-PURITY COPPER-MANGANESE ALLOY SPUTTERING TARGET
摘要 Mn 0.05 ∼ 20 wt% 를 함유하고, 첨가 원소를 제외하고, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물인 고순도 구리 망간 합금 스퍼터링 타깃으로서, 그 타깃은 P : 0.001 ∼ 0.06 wtppm 및 S : 0.005 ∼ 5 wtppm 을 함유함과 함께, 추가로 Ca 와 Si 를 함유하고, P, S, Ca, Si 의 합계량이 0.01 ∼ 20 wtppm 인 것을 특징으로 하는 고순도 구리 망간 합금 스퍼터링 타깃. 이와 같이, 구리에 적절한 양의 Mn 원소와 Ca, P, Si, S 를 함유시킴으로써, 타깃을 제조하는 단계에서 필요하게 되는 절삭성을 개선하고, 타깃의 제작 (가공성) 을 용이하게 함과 함께, 타깃 표면의 평활성을 개선하고, 또한 스퍼터링시의 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 특히, 미세화·고집적화가 진행되는 반도체 제품의 수율이나 신뢰성을 향상시키기 위해 유용한 고순도 구리 망간 합금 스퍼터링 타깃을 제공한다.
申请公布号 KR101620762(B1) 申请公布日期 2016.05.12
申请号 KR20147006902 申请日期 2013.01.04
申请人 제이엑스 킨조쿠 가부시키가이샤 发明人 나가타 겐이치;오츠키 도미오;오카베 다케오;마키노 노부히토;후쿠시마 아츠시
分类号 C23C14/34;H01L21/285 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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