一种JFET器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件，其特征在于，所述P+栅极区1的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区2的一端到靠近N+源极区3的一端P+栅极区1的结深逐渐增加。本发明的有益效果为，恒流特性较好，能够满足更小恒流精度的需求。本发明尤其适用于JFET器件及其制造。

主权项

一种JFET器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步：选择NTD<111>单晶片；第二步：硅片表面生长P型外延层(5)；第三步：热生长氧化层；第四步：一次光刻，光刻后在P型外延层(5)的两端进行P型隔离区注入，具体为采用去胶注入，在注入之前生长40～100nm厚的氧化层，离子注入条件为：剂量1e15～8e15cm^‑2、能量40～80KeV，再分布条件为：无氧条件，温度1100～1150℃、时间100min～120min；第五步：二次光刻，光刻后进行n型体沟道区(4)，具体为采用去胶注入，在注入之前生长40～100nm厚的氧化层，离子注入条件为：剂量1e12～5e12cm^‑2、能量40～80KeV，再分布条件为：无氧条件，温度1100～1150℃、时间230min～250min；第六步：场氧化层生长，厚度范围为第七步：三次光刻，有源区刻蚀，为后续有源区内的源漏栅区注入刻蚀出有源区；第八步：四次光刻，光刻后进行P+栅极区(1)注入，形成结深不均匀的P+栅极区(1)，且从靠近N+漏极区(2)的一端到靠近N+源极区(3)的一端P+栅极区(1)的结深逐渐增加，具体为采用多次光刻、多次不同注入能量的方式或者采用多次光刻、多次相同能量注入和多次推结的方式；第九步：五次光刻，光刻后进行N+漏极区(2)和N+源极区(3)注入；具体采用带胶注入，在注入之前生长40～100nm厚的氧化层，离子注入条件为：剂量1e15～8e15cm^‑2、能量60～80KeV，再分布条件为：无氧条件，温度1100～1150℃、时间230min～250min；第十步：六次光刻，刻蚀出接触孔；第十一步：金属淀积，在P+栅极区(1)的上端面淀积栅极金属(11)，在N+漏极区(2)的上端面淀积漏极金属(10)，在N+源极区(3)的上端面淀积源极金属(13)，七次光刻、反刻铝；第十二步：合金，条件为炉温550℃、时间10min～30min，钝化；第十三步：八次光刻刻蚀出压焊点；第十四步：低温退火，温度500℃～510℃，恒温30min；第十五步：硅片初测、切割、装架、烧结、封装测试。