| 发明名称 | 一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构自下至上依次包括：衬底、形核层、缓冲层、N型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型III族氮化物叠层；所述P型III族氮化物叠层由P型GaN层和P型In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层依次交替层叠而成，x＝0.01-0.3。本发明的P型III族氮化物叠层在LED的P型区域的能带中引入异质结，在价带处构建一个低势垒的尖锥状突起，能够聚集空穴，从而增强空穴向多量子阱有源区的注入，使得量子阱内空穴浓度提升，有利于显著提高LED的发光功率。同时，P型III族氮化物叠层的引入不会对LED的导电性能带来负面影响。 | ||
| 申请公布号 | CN105576098A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201610100277.0 | 申请日期 | 2016.02.23 |
| 申请人 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 发明人 | 李国强 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人 | 李健富 |
| 主权项 | 一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，自下至上依次包括：衬底、形核层、缓冲层、N型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型III族氮化物叠层；所述P型III族氮化物叠层由P型GaN层和P型In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层依次交替层叠而成，其中，x＝0.01‑0.3。 | ||
| 地址 | 517000 广东省河源市高新技术开发区兴业大道东边、高新一路创业服务中心三楼317室 | ||