发明名称 |
基于3D打印制备LED器件电极的方法 |
摘要 |
本发明属于光电子器件领域,具体为一种基于3D打印制备LED器件电极的方法。本发明将MOCVD或MBE生长的至少具有缓冲层、N型层、多周期的量子阱有源层及P型层的外延片作为基底材料,采用3D打印在P型层台面上打印ITO导电层、然后刻蚀出N型层的台面、再打印N型电极及P型电极层。基于3D打印形成LED器件电极结构,不仅能够减少电极制备过程中的光刻及刻蚀工艺步骤,缩短生产周期,降低光刻及刻蚀过程可能对外延片造成的污染和损伤几率,还能够降低电极形成过程中高温退火过程对量子阱有源区界面结构的破坏,从而提高LED器件的发光效率。 |
申请公布号 |
CN105576099A |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201610120569.0 |
申请日期 |
2016.03.04 |
申请人 |
太原理工大学 |
发明人 |
许并社;朱亚丹;卢太平;赵广洲 |
分类号 |
H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/36(2010.01)I |
代理机构 |
太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 |
代理人 |
朱源 |
主权项 |
基于3D打印制备LED器件电极的方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一:编写3D ITO打印头、3D N型电极打印头、3D P型电极打印头的运动路径程序,以满足结构设计需求为准;步骤二:将具有LED有源结构的外延片清洁好后作为基板放入3D打印机中,利用单个或阵列式3D ITO打印头在基板上打印ITO薄膜;步骤三:采用单个或阵列式3D ITO打印头在ITO薄膜上打印图形化的ITO薄膜,以实现ITO薄膜的粗糙化;步骤四:在上述基板ITO薄膜上涂覆光刻胶,并利用光刻机进行曝光,显影,并以光刻胶为掩膜干法刻蚀出N型层台面,最后清洗掉残留的光刻胶;步骤五:在已经刻蚀出N型层台面的基片上,利用单个或阵列式3DP型电极打印头在ITO薄膜上打印P型电极材料;步骤六:在已经打印好P型电极材料的基片上,利用单个或阵列式3DN型电极打印头在N型层台面上打印N型电极材料,得到LED器件电极。 |
地址 |
030024 山西省太原市迎泽西大街79号 |