半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、位于栅介质层上的栅电极层和位于栅电极层上的硬掩膜层；在所述栅电极层的侧壁表面形成氧化层；刻蚀所述硬掩膜层，去除所述硬掩膜层的一部分以暴露出所述栅电极层的肩部；形成覆盖所述半导体衬底表面、栅极结构表面和栅电极层肩部的侧墙材料层，所述侧墙材料层与所述肩部接触的部分至少部分地利用所述肩部的材料形成；以及采用干法刻蚀工艺去除位于所述半导体衬底表面和所述栅极结构顶表面的侧墙材料层，位于所述栅极结构侧壁表面的侧墙材料层形成侧墙。本发明的半导体器件的形成方法可以有效改善栅极锗硅残余缺陷的形成。

主权项

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、位于栅介质层上的栅电极层和位于栅电极层上的硬掩膜层；在所述栅电极层的侧壁表面形成氧化层；刻蚀所述硬掩膜层，去除所述硬掩膜层的一部分以暴露出所述栅电极层的肩部；形成覆盖所述半导体衬底表面、栅极结构表面和栅电极层肩部的侧墙材料层，所述侧墙材料层与所述肩部接触的部分至少部分地利用所述肩部的材料形成；以及采用干法刻蚀工艺去除位于所述半导体衬底表面和所述栅极结构顶表面的侧墙材料层，位于所述栅极结构侧壁表面的侧墙材料层形成侧墙。