升压转换电路

摘要

本发明公开了一种升压转换电路，其中，该升压转换电路包括：输入控制单元包括：第一薄栅氧NMOS晶体管、第二薄栅氧NMOS晶体管和第三薄栅氧NMOS晶体管，第一薄栅氧NMOS晶体管的栅极连接至升压转换电路的输入端；电压转换单元包括：第一厚栅氧PMOS晶体管、第二厚栅氧PMOS晶体管以及第一高压NMOS晶体管，第一厚栅氧PMOS晶体管的源极与第二厚栅氧PMOS晶体管的源极都连接至高压电源输入端，第一厚栅氧PMOS晶体管的栅极和第二厚栅氧PMOS晶体管的栅极与第一高压NMOS晶体管的漏极连接，第一高压NMOS晶体管的栅极连接至升压转换电路的输入端；输出控制单元包括：第三厚栅氧PMOS晶体管与第一厚栅氧NMOS晶体管。本发明解决了现有升压转换电路无法适用于超低输入信号电压的场景的问题。

主权项

一种升压转换电路，其特征在于，包括：输入控制单元，包括：第一薄栅氧NMOS晶体管、第二薄栅氧NMOS晶体管和第三薄栅氧NMOS晶体管，其中，所述第一薄栅氧NMOS晶体管的栅极连接至所述升压转换电路的输入端，所述第一薄栅氧NMOS晶体管的源极与所述第二薄栅氧晶体管NMOS的源极都连接至地，所述第一薄栅氧NMOS晶体管的漏极与所述第三薄栅氧NMOS晶体管的源极连接；电压转换单元，包括：第一厚栅氧PMOS晶体管、第二厚栅氧PMOS晶体管以及第一高压NMOS晶体管，其中，所述第一厚栅氧PMOS晶体管的源极与所述第二厚栅氧PMOS晶体管的源极都连接至高压电源输入端，所述第一厚栅氧PMOS晶体管的栅极和所述第二厚栅氧PMOS晶体管的栅极与所述第一高压NMOS晶体管的漏极连接，所述第一高压NMOS晶体管的栅极连接至所述升压转换电路的输入端；输出控制单元，包括：第三厚栅氧PMOS晶体管与第一厚栅氧NMOS晶体管，其中，所述第三厚栅氧PMOS晶体管的栅极与所述第一厚栅氧NMOS晶体管的栅极连接，所述第三厚栅氧PMOS晶体管的漏极与所述第一厚栅氧NMOS晶体管的漏极都连接至所述升压转换电路的输出端。