| 发明名称 | 一种光学临近修正模型的优化方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种光学临近修正模型(OPC)的优化方法，包括：步骤S1：收集光学临近修正模型中晶圆版图的模拟数据和实际生产中实际晶圆版图的测量数据；步骤S2：根据所述步骤S1中的所述模拟数据和测量数据，利用公式(I)计算所述模型中不同节距的关键尺寸和所述实际晶圆版图中所述节距的关键尺寸的均方根值RMS，以对光学临近修正模型进行评价和优化，<img file="DDA0000585950790000011.GIF" wi="1448" he="344" />其中，所述W<sub>i</sub>为所述节距的关键尺寸的权重，CD<sub>i(模拟)</sub>为所述模型中不同节距的关键尺寸的模拟值，所述CD<sub>i(测量)</sub>为所述实际晶圆版图中所述节距的关键尺寸的测量值，所述MEEF<sub>i</sub>为所述节距的掩膜误差增强因子。本发明的优点在于能确保OPC最终结果更加合理，具有更高的准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN105573048A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201410538086.3 | 申请日期 | 2014.10.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 舒强;王铁柱 |
| 分类号 | G03F1/36(2012.01)I | 主分类号 | G03F1/36(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种光学临近修正模型的优化方法，包括：步骤S1：收集光学临近修正模型中晶圆版图的模拟数据和实际生产中物理晶圆版图的测量数据；步骤S2：根据所述步骤S1中的所述模拟数据和测量数据，利用公式(I)计算所述模型中不同节距的关键尺寸和所述物理晶圆版图中所述节距的关键尺寸的均方根值RMS，以对所述光学临近修正模型进行评价和优化，<img file="FDA0000585950760000011.GIF" wi="1463" he="365" />其中，所述W<sub>i</sub>为所述节距的关键尺寸的权重，CD<sub>i(模拟)</sub>为所述模型中不同节距的关键尺寸的模拟值，所述CD<sub>i(测量)</sub>为所述实际晶圆版图中所述节距的关键尺寸的测量值，所述MEEF<sub>i</sub>为所述节距的掩膜误差增强因子。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||