| 发明名称 | 热处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种热处理方法，其将多片半导体晶圆各自水平载置于以碳化硅覆盖的支撑构件上，并在纵型热处理炉内实行高温热处理，其中，该热处理方法的特征在于，将所述支撑构件，在第一条件或第二条件中任一种条件的高温热处理中持续使用了一定期间后，在所述第一条件和第二条件中的另一种条件的高温热处理中持续使用一定期间，以此方式将所述支撑构件与热处理条件切换来进行热处理；并且，所述第一条件的高温热处理，是以1000℃以上的温度，在含有稀有气体且不含有氧气的氛围下进行的热处理；所述第二条件的高温热处理，是以1000℃以上的温度，在含有氧气且不含有稀有气体的氛围下进行的热处理。由此，能够抑制滑移位错。 | ||
| 申请公布号 | CN105580119A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201480052178.9 | 申请日期 | 2014.10.27 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 加藤正弘 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 谢顺星;张晶 |
| 主权项 | 一种热处理方法，其将多片半导体晶圆各自水平载置于以碳化硅覆盖的支撑构件上，并在纵型热处理炉内实行热处理，其中，该热处理方法的特征在于，将所述支撑构件，在第一条件或第二条件中的任一种条件的热处理中持续使用了一定期间后，在所述第一条件和第二条件中的另一种条件的热处理中持续使用特定期间，以此方式将所述支撑构件与热处理条件切换来进行热处理；并且，所述第一条件的热处理，是以1000℃以上的温度，在含有稀有气体且不含有氧气的氛围下进行的热处理；所述第二条件的热处理，是以1000℃以上的温度，在含有氧气且不含有稀有气体的氛围下进行的热处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||