| 发明名称 | 一种半导体器件、制备方法及封装方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件、制备方法及封装方法，所述制备方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有层间介电层和位于所述层间介电层中的接合焊盘；步骤S2：在所述层间介电层和所述接合焊盘上形成光敏性的苯并环丁烯材料层，以覆盖所述层间介电层和所述接合焊盘；步骤S3：图案化所述苯并环丁烯材料层，以形成开口，露出所述接合焊盘。本发明的优点在于：1、采用混合键合(hybrid bonding)工艺对接合焊盘(例如铜柱，Cu pillar bonding)进行密封键合，增加键合强度(bonding strength)，提高晶片的键合质量；2、采用具有绝缘的AD-BCB材质进行辅助键合，可以改善接合铜柱(Cu pillar)间的弱电流问题，提高了电性稳定性；3、采用混合键合，可以大大提高了封装可靠性以及芯片寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN105575930A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201410539129.X | 申请日期 | 2014.10.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 施林波;陈福成 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有层间介电层和位于所述层间介电层中的接合焊盘；步骤S2：在所述层间介电层和所述接合焊盘上形成光敏性的苯并环丁烯材料层，以覆盖所述层间介电层和所述接合焊盘；步骤S3：图案化所述苯并环丁烯材料层，以形成开口，露出所述接合焊盘。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||