发明名称 |
形成磁性穿隧接面结构的方法以及使用该方法形成磁性随机存取记忆体的方法 |
摘要 |
磁性穿隧接面结构的制造方法,此方法包括在基板上顺序堆叠第一磁性层、穿隧介电层以及第二磁性层,以形成磁性穿隧接面层。在第二磁性层的区域上形成罩幕图案。多次进行至少一蚀刻制程与至少一氧化制程,以形成磁性穿隧接面层图案与位在磁性穿隧接面层图案的至少一侧壁上的侧壁介电层图案。至少一蚀刻制程可包括第一蚀刻制程,所述第一蚀刻制程使用惰性气体与罩幕图案来蚀刻磁性穿隧接面层的一部分,以形成第一蚀刻产物。至少一氧化制程包括第一氧化制程,以氧化附着在磁性穿隧接面层的蚀刻侧的第一蚀刻产物。
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申请公布号 |
TWI533352 |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
TW100143579 |
申请日期 |
2011.11.28 |
申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
申喜珠;郑峻昊;李将银;吴世忠 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);G11C11/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 |
主权项 |
一种磁性穿隧接面结构的制造方法,包括多次进行至少一蚀刻制程与至少一氧化制程,以形成磁性穿隧接面层图案与位在所述磁性穿隧接面层图案的至少一侧壁上的侧壁介电层图案,其中所述至少一蚀刻制程藉由使用惰性气体来蚀刻所述磁性穿隧接面层图案的一部分,且所述至少一氧化制程氧化藉由所述至少一蚀刻制程产生并附着在所述磁性穿隧接面层图案的蚀刻侧的产物。
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地址 |
南韩 |