| 发明名称 |
具有减低电荷通量之非挥发性记忆体 |
| 摘要 |
明提供一种方法，其包含利用一第一通量在一积体电路(10)之一第一非挥发性记忆体(NVM)位元(114)上执行一程式化/擦除循环，其中该第一NVM位元具有一第一跨导。该方法进一步包含利用一第二通量在该积体电路之一第二NVM位元(112)上执行一程式化/擦除循环，其中该第二NVM位元具有一第二跨导，且其中该第一跨导大于该第二跨导，且及该第二通量大于该第一通量。 |
| 申请公布号 |
TWI533312 |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
| 申请号 |
TW098101409 |
申请日期 |
2009.01.15 |
| 申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
席兹戴克 雷诺Ｊ |
| 分类号 |
G11C16/34(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C16/12(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/34(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种用于减低电荷通量之方法，其包括：利用一第一通量在一积体电路之一第一非挥发性记忆体NVM位元上执行一程式化/擦除循环，其中该第一NVM位元具有一第一跨导；及利用一第二通量在该积体电路之一第二NVM位元上执行一程式化/擦除循环，其中该第二NVM位元具有一第二跨导，且其中该第一跨导大于该第二跨导，且该第二通量大于该第一通量，其中该第一NVM位元及该第二NVM位元系并联耦合，以便减低用于该第一及第二NVM位元之临限窗。
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| 地址 |
美国 |
