光电二极管以及光电二极管阵列

摘要

p-型半导体基板(20)具有相互相对的第1主面(20a)及第2主面(20b)，且包含光感应区域(21)。光感应区域(21)由n+型杂质区域(23)、p+型杂质区域(25)、及对p-型半导体基板(20)施加偏压电压时空乏化的区域构成。在p-型半导体基板(20)的第2主面(20b)上形成有不规则的凹凸(10)。在p-型半导体基板(20)的第2主面(20b)侧形成有累积层(37)，累积层(37)中的与光感应区域(21)相对的区域光学性地露出。

主权项

一种光电二极管，其特征在于，包括硅基板，该硅基板由第1导电类型的半导体构成，且具有相互相对的第1主面及第2主面，在所述硅基板的所述第1主面侧配置有雪崩光电二极管，该雪崩光电二极管由具有比所述硅基板更高的杂质浓度的第1导电类型的半导体区域与第2导电类型的半导体区域之间的pn结所构成，在所述硅基板的所述第2主面侧形成有具有比所述硅基板更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层，并且至少在与所述雪崩光电二极管相对的区域形成有不规则的凹凸，所述硅基板的所述第2主面中的与所述雪崩光电二极管相对的所述区域光学性地露出，至少在与所述雪崩光电二极管相对的区域形成有不规则的凹凸的所述第2主面所相对的所述第1主面为光入射面，从所述第1主面入射的光在所述硅基板内行进，所述光电二极管为表面入射型，从所述第1主面入射并在所述硅基板内行进的光，由不规则的所述凹凸进行反射、散射或扩散，第1导电类型的所述累积层的厚度大于不规则的所述凹凸的高低差，不规则的所述凹凸是由脉冲激光的照射而形成的不规则的凹凸。