发明名称 集成电路元件与封装组件
摘要 本发明提供一种集成电路元件与封装组件,集成电路元件包括:半导体基底;导电柱,设置于半导体基底之上,具有侧壁表面与上表面;凸块下金属层,设置于半导体基底与导电柱之间,具有一表面区域邻接至导电柱的侧壁表面且由侧壁表面延伸;以及保护结构,设置于铜柱的该侧壁表面上与凸块下金属层的表面区域上,其中保护结构由非金属材料形成,且导电柱由含铜层形成。本发明的侧壁保护结构,覆盖凸块结构的侧壁表面的至少一部分,在铜柱侧壁上以及凸块下金属层的表面区域上的保护结构由至少一非金属材料层形成,例如介电材料层、高分子材料层或前述的组合。本发明能够避免铜柱侧壁被氧化,以及增加在铜柱侧壁与后续形成的底部填胶材料之间的粘着力。
申请公布号 CN102237317B 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201010527780.7 申请日期 2010.10.28
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 吴逸文;黄见翎;刘重希;林正忠
分类号 H01L23/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/00(2006.01)I
代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人 姜燕;陈晨
主权项 一种集成电路元件,包括:一半导体基底;一导电柱,设置于该半导体基底之上,具有一侧壁表面与一上表面;一凸块下金属层,设置于该半导体基底与该导电柱之间,具有一表面区域邻接至该导电柱的该侧壁表面且由该侧壁表面延伸,且包括一第一凸块下金属层设置在该半导体基底上,以及一第二凸块下金属层设置在该第一凸块下金属层上,其中该第一凸块下金属层与该第二凸块下金属层具有相同的尺寸;一保护结构,设置于该导电柱的该侧壁表面上与该凸块下金属层的该表面区域上,其中该保护结构由非金属材料形成,且该导电柱由含铜层形成;以及一阻挡层,设置在该导电柱与该保护结构之间或设置在该凸块下金属层与该保护结构之间,且露出该导电柱的该上表面,其中该阻挡层为一含铜材料层,包括Ge、Si、N或前述的组合。
地址 中国台湾新竹市