发明名称 |
一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。该薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层、源极和漏极以及导电层。第一绝缘层设置在栅极上,第二绝缘层设置在第一绝缘层上方,半导体层、源极和漏极设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间,导电层设置在第二绝缘层上,并与栅极相互导通,使得薄膜晶体管在打开状态时,增大形成在半导体层的导电沟道中的开态电流,在关闭状态时,减小导电沟道的关态电流。通过上述方式,本发明能够提高开关比。 |
申请公布号 |
CN103474472B |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201310411131.4 |
申请日期 |
2013.09.10 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
杜鹏;陈政鸿 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
何青瓦 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:栅极;第一绝缘层,设置在所述栅极上;第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层上方;半导体层、源极和漏极,设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间;导电层,设置在所述第二绝缘层上,并与所述栅极相互导通,使得所述薄膜晶体管在打开状态时,增大形成在所述半导体层的导电沟道中的开态电流,在关闭状态时,减小所述导电沟道中的关态电流;其中,所述半导体层的宽度大于所述源极到漏极的宽度,并且所述栅极的宽度大于所述半导体层的宽度,其中,所述源极到漏极的宽度为所述源极远离所述漏极的一端到所述漏极远离所述源极的一端的宽度。 |
地址 |
518000 广东省深圳市光明新区公明办事处塘家社区观光路汇业科技园综合楼1第一层B区 |