| 发明名称 | CdTe薄膜太阳电池的背接触结构、其制备方法与CdTe薄膜太阳电池 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种CdTe薄膜太阳电池的背接触结构，包括依次叠加设置的第一过渡金属氧化物薄膜、第二CdTe薄膜、Cu金属薄膜和金属背电极。本申请通过在两层CdTe薄膜之间设置过渡金属氧化物薄膜，以阻挡Cu原子向CdTe层及CdS/CdTe异质结区的扩散，在保证低阻接触的情况下提高了太阳电池的稳定性；本申请还提供了所述CdTe薄膜太阳电池的背接触结构的制备方法以及包括所述CdTe薄膜太阳电池背接触结构的太阳电池。 | ||
| 申请公布号 | CN105576049A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201511030285.4 | 申请日期 | 2015.12.30 |
| 申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 王德亮;李珣;沈凯 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0725(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 赵青朵 |
| 主权项 | 一种CdTe薄膜太阳电池的背接触结构，包括：第一过渡金属氧化物薄膜；设置于所述第一过渡金属氧化物薄膜上的第二CdTe薄膜；设置于所述第二CdTe薄膜上的Cu金属薄膜；设置于所述Cu金属薄膜上的金属背电极。 | ||
| 地址 | 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号 | ||