用于4G通信芯片的低功耗基准电压源电路

摘要

本发明属于集成电路技术领域，涉及用于4G通信芯片的低功耗基准电压源电路，该电路包括由增强型管与耗尽型管组成的自偏置电压基准源电路和启动电路。其特点是：输出端VREF的电压与电源电压VDD无关，不随VDD的变化而改变；利用增强型管与耗尽型管的阈值具有相反的温度特性，使VREF的电压不随温度而变化；利用栅源短接的耗尽型NMOS管的导通电阻极大的特点，使电路的工作电流非常小，具有低的静态功耗。由此本发明采用耗尽型MOS管和强型管MOS管组合的方式，产生了不随电源电压和温度变化的高精度低功耗的基准电压源电路。

主权项

用于4G通信芯片的低功耗基准电压源电路，包括：由增强型MOS管与耗尽型NMOS管组成的三级放大器电路以及启动电路；所述三级放大器电路包括：第一级放大器电路、第二级放大器电路和第三级放大器电路；所述第一级放大器是第一增强型NMOS共源极放大器电路，栅漏短接的第一PMOS管和第三PMOS管串联并作为放大器负载，第一PMOS漏极做为输出端；所述第二级放大器电路是由第二PMOS管和第四PMOS管组成的共源共栅放大器电路，第二PMOS管的栅极做输入并接第一级放大器的输出，栅源短接的第一耗尽型NMOS管作为放大器负载，第四PMOS漏极为输出端；所述第三级放大器电路是由第五PMOS管和第六PMOS管组成的共源共栅放大器电路，第五PMOS管栅极做输入并接第二级放大器的输出，栅源短接的第二耗尽型NMOS管作为放大器负载，第二耗尽型NMOS漏极为电路输出端VREF并且接到第一级放大器的输入端，输出端VREF连接对GND的补偿和滤波第一电容。所述启动电路为所述三级放大器提供启动电流，由第七PMOS管和第八PMOS管以及第三耗尽型NMOS管组成；第七PMOS管栅极为输入端，它接到第一级放大器输出端，栅源短接的第三耗尽型NMOS管作为第七PMOS管的负载，第八PMOS管栅极连接到第七PMOS管的漏极，第八PMOS管源极接VDD，漏极连接到第一级放大器输入端，为第一级放大器提供一个上拉的启动电流。