半导体装置

摘要

一种半导体装置(10)，包括半导体基板(11)。该半导体基板的元件区域(12)包括具有第一导电类型的第一体区域(36a)，具有第二导电类型的第一漂移区(32a)，以及多个第一浮动区域(34)，各所述第一浮动区域具有所述第一导电类型。终端区域包括具有所述第二导电类型的第二漂移区(32b)，以及多个第二浮动区域(37)，各所述第二浮动区域具有所述第一导电类型。各所述第二浮动区域被所述第二漂移区所围绕。当第一漂移区的中心的深度被看作参考深度时，至少一个第二浮动区域被配置成比每个第一浮动区域更接近于所述参考深度。

主权项

一种半导体装置，包括半导体基板，其具有元件区域以及终端区域，所述终端区域围绕所述元件区域，其中：所述元件区域包括第一体区域，其具有第一导电类型并且被配置于面向所述半导体基板的顶面的范围内，第一漂移区，其具有第二导电类型并且与所述第一体区域的底面相接触，以及多个第一浮动区域，每个所述第一浮动区域具有所述第一导电类型并且被所述第一漂移区围绕；所述终端区域包括第二漂移区，其具有所述第二导电类型，以及多个第二浮动区域，每个所述第二浮动区域具有所述第一导电类型并且被所述第二漂移区围绕；所述第二浮动区域围绕所述元件区域的外周；并且当在所述半导体基板的厚度方向上所述第一漂移区的中心的深度被看作参考深度时，至少一个所述第二浮动区域被配置成比每个所述第一浮动区域更接近于所述参考深度。