转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法

摘要

本发明的名称为转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法，其目的是提供一种在短时间内将待要剥离的物体转移到转移部件上而不对叠层中待要剥离的物体造成损伤的方法。而且，本发明的另一目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中，制造在衬底上的半导体元件被转移到转移部件，典型地说是塑料衬底上。此方法的特征在于包括：在衬底上形成剥离层和待要剥离的物体；通过双面胶带键合待要剥离的物体和支座；用物理方法从剥离层剥离待要剥离的物体，然后将待要剥离的物体键合到转移部件上；以及从待要剥离的物体剥离支座和双面胶带。

主权项

一种制造半导体器件的方法，它包含：在衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成金属氧化物层；在所述剥离层上形成晶体管；在所述晶体管上形成像素电极；在所述像素电极上形成钝化膜，所述钝化膜使用氮化物绝缘膜形成；从所述衬底剥离所述晶体管、所述像素电极和所述钝化膜，以及将胶带键合到所述钝化膜；从所述钝化膜剥离所述胶带；以及在从所述钝化膜剥离所述胶带后，在所述像素电极和所述钝化膜上形成EL层，其中，所述胶带包含第一粘合剂和第二粘合剂，所述第一粘合剂和所述第二粘合剂间置入第二衬底，其中所述第一粘合剂和所述第二粘合剂的一个是热剥离粘合剂，且其中所述第一粘合剂和所述第二粘合剂的另一个是紫外线剥离粘合剂。