发明名称 |
平面型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体器件领域,公开了一种平面型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明中,该平面型绝缘栅双极型晶体管包括至少一个单元,每个单元的正面具有至少三个角;每个单元包括位于第一半导体类型衬底中的第二半导体类型阱、第一半导体类型掺杂区和第二半导体类型掺杂区;第一半导体类型掺杂区和第二半导体类型掺杂区位于上述阱中,两者掺杂浓度比该阱的掺杂浓度高;每个单元中至少有一个角包含一个角区域,该角区域包含其角的顶点,且该角区域与第二半导体类型掺杂区具有重叠区域;第一半导体类型掺杂区不包含角区域。本发明能够有效器件单元所有角的位置发生的闩锁现象,从而大幅度的提升器件的安全工作区,改善器件的性能。 |
申请公布号 |
CN103413825B |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201310347729.1 |
申请日期 |
2013.08.09 |
申请人 |
上海北车永电电子科技有限公司 |
发明人 |
刘剑 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
代理机构 |
上海一平知识产权代理有限公司 31266 |
代理人 |
成春荣;竺云 |
主权项 |
一种平面型绝缘栅双极型晶体管,其特征在于,包括至少一个单元,每个该单元的正面具有至少三个角;每个所述单元包括位于第一半导体类型衬底中的第二半导体类型阱、第一半导体类型掺杂区和第二半导体类型掺杂区;所述第一半导体类型掺杂区和所述第二半导体类型掺杂区位于所述阱中,且该第一半导体类型掺杂区和该第二半导体类型掺杂区的掺杂浓度比该阱的浓度高;每个所述单元中至少有一个所述角包含一个角区域,该角区域包含所述角的顶点,且该角区域与所述第二半导体类型掺杂区具有重叠区域,所述第二半导体类型掺杂区包含整个所述角区域;所述第一半导体类型掺杂区不包含所述角区域。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区蔡伦路1690号3号楼105室 |