一种基于石墨烯/β-Ga₂O₃的肖特基结深紫外光光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于石墨烯/β-Ga₂O₃的肖特基结深紫外光光电探测器及其制备方法，其特征在于：是以金属铜片作为衬底，在衬底上固定有β-Ga₂O₃单晶片和石墨烯的肖特基结构；该肖特基结构是在β-Ga₂O₃单晶片的未抛光面设置有铬/金电极，抛光面设置有石墨烯薄膜；在铬/金电极的表面均匀涂覆有银浆，β-Ga₂O₃单晶片和衬底通过银浆粘合；在石墨烯薄膜的一侧引出有引出电极。本发明的深紫外光光电探测器是以β-Ga₂O₃和石墨烯形成的肖特基结为器件的核心，既可以利用β-Ga₂O₃对深紫外光的灵敏性，又可以结合石墨烯的低电阻率、高透光率等优异特性，因此对于深紫外光有很强的吸收率。

主权项

一种基于石墨烯/β‑Ga₂O₃的肖特基结深紫外光光电探测器，其特征在于：所述光电探测器是以金属铜片作为衬底(1)，在所述衬底(1)上固定有β‑Ga₂O₃单晶片和石墨烯的肖特基结构；所述β‑Ga₂O₃单晶片和石墨烯的肖特基结构是在所述β‑Ga₂O₃单晶片(2)的未抛光面设置有与β‑Ga₂O₃单晶片呈欧姆接触的铬/金电极(4)，在所述β‑Ga₂O₃单晶片(2)的抛光面设置有与β‑Ga₂O₃单晶片呈肖特基接触的石墨烯薄膜(3)；在所述铬/金电极(4)的表面均匀涂覆有银浆(5)，所述β‑Ga₂O₃单晶片(2)和所述衬底(1)通过所述银浆(5)粘合；在所述石墨烯薄膜(3)的一侧引出有与石墨烯薄膜呈欧姆接触的引出电极(6)。