摄像装置

摘要

本公开提供了一种摄像装置。所述摄像装置能够增大连接状态下的输入节点的电容值，而不减小在电容处于非连接状态时的放大晶体管增益。在根据本公开的方面的摄像装置中，放大晶体管的栅极电极布置在半导体基板的主表面上，具有第二导电型的第三半导体区域布置在所述栅极电极的下部中，并且电容的PN结面的具有所述第二导电型的杂质的添加杂质浓度高于，所述第三半导体区域中的、从所述主表面直到布置有所述放大晶体管的源极和漏极的深度处的区域中具有所述第二导电型的添加杂质浓度的最大值。

主权项

一种摄像装置，所述摄像装置包括：光电转换单元；放大晶体管，其被构造为放大基于由所述光电转换单元生成的电荷的信号；电容，其具有PN结并且能够累积所述电荷，所述PN结由具有第一导电型的第一半导体区域和具有第二导电型的第二半导体区域构成；以及多个像素，其能够通过切换所述电容的连接状态来改变所述放大晶体管的输入节点的电容值，其中，所述放大晶体管的栅极电极布置在半导体基板的主表面上，并且具有所述第二导电型的第三半导体区域布置在所述放大晶体管的所述栅极电极的下部中，并且其中，所述电容的PN结面的具有所述第二导电型的杂质的添加杂质浓度高于，所述第三半导体区域中的、从所述主表面直到布置有所述放大晶体管的源极和漏极的深度处的区域中具有所述第二导电型的添加杂质浓度的最大值。