一种MEMS器件及其制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有光刻胶层；步骤S2：选用修正的光罩对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述光刻胶层中形成图案，其中所述修正的光罩能够补偿曝光显影后所述光刻胶层发生倾斜而引起的图案变形；步骤S3：以所述光刻胶层为掩膜深度蚀刻所述MEMS晶圆，以将所述图案转移至所述MEMS晶圆中。本发明的优点在于：1,不用增加额外的掩膜或工艺(Mask/Process)，成本低廉。2,通过目前图层(Layer)图形的改变，来改善MEMS图形的定义。3,改进了MEMS产品的性能，提高了良率(Yield)。

主权项

一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有光刻胶层；步骤S2：选用修正的光罩对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述光刻胶层中形成图案，其中所述修正的光罩能够补偿曝光显影后所述光刻胶层发生倾斜而引起的图案变形；步骤S3：以所述光刻胶层为掩膜深度蚀刻所述MEMS晶圆，以将所述图案转移至所述MEMS晶圆中。