发明名称 |
一种四氟化硅的纯化方法 |
摘要 |
本发明涉及一种四氟化硅的纯化方法,属于氟化工、电子工业气体领域。所述方法为:将四氟化硅粗品气与纯化反应物1进行纯化反应,得到的产物通过冷阱收集,得到纯化的四氟化硅气体;纯化反应物1为含有氟原子和/或含氯原子的物质;四氟化硅粗品气与纯化反应物1进行纯化反应的温度为-199℃~1999℃,当纯化反应物1为F<sub>2</sub>时,温度为-199℃~99℃;四氟化硅粗品气与纯化反应物1进行纯化反应的压力为-0.09MPa~2MPa。纯化的四氟化硅气体还可进一步与纯化反应物2进行纯化反应,获得纯度更高的四氟化硅。所述方法容易获得高纯度的四氟化硅,产率和安全性高,成本低。 |
申请公布号 |
CN105565324A |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201510979404.4 |
申请日期 |
2015.12.23 |
申请人 |
中国船舶重工集团公司第七一八研究所 |
发明人 |
蒋玉贵;孟祥军;李翔宇;董云海;乔蓓蓓;沙婷;杨庆平 |
分类号 |
C01B33/107(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/107(2006.01)I |
代理机构 |
北京理工大学专利中心 11120 |
代理人 |
周蜜;仇蕾安 |
主权项 |
一种四氟化硅的纯化方法,其特征在于:所述纯化方法步骤包括:将四氟化硅粗品气与纯化反应物1进行纯化反应,得到的产物通过冷阱收集,得到纯化的四氟化硅气体;纯化反应物1为碳酰氟、氟气、氯气、三氟化氯、一氟化氯、二氟化氧、二氧化氯、三氟化氮和四氧化氯中的至少一种;四氟化硅粗品气与纯化反应物1进行纯化反应的温度为‑199℃~1999℃,当纯化反应物1为F<sub>2</sub>时,温度为‑199℃~99℃;四氟化硅粗品气与纯化反应物1进行纯化反应的压力为‑0.09MPa~2MPa;纯化反应的次数为一次以上,当反应次数大于一次时,每次反应后得到的气体作为四氟化硅粗品气与相同或不同的纯化反应物1进行纯化反应。 |
地址 |
056027 河北省邯郸市展览路17号 |