发明名称 EUV光源和曝光装置
摘要 一种EUV光源和曝光装置,其中所述EUV光源,包括:液滴阵列,所述液滴阵列包括呈环形排布的若干喷嘴,若干喷嘴适于依次向下方的环形辐射位置喷吐液滴;激光源,适于产生激光束,使激光束从液滴阵列上方入射并旋转扫描,依次轰击到达环形辐射位置的液滴,液滴受到激光轰击时形成等离子体,等离子体辐射极紫外光;聚光器,位于液滴阵列上方,适于旋转扫描并同时收集辐射的极紫外光,并将收集的极紫外光汇聚于环形辐射位置下方的中心焦点。本发明的EUV光源输出的极紫外光的功率增加。
申请公布号 CN105573062A 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201410553891.3 申请日期 2014.10.17
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 岳力挽;伍强
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 应战
主权项 一种EUV光源,其特征在于,包括:液滴阵列,所述液滴阵列包括呈环形排布的若干喷嘴,若干喷嘴适于依次向下方的环形辐射位置喷吐液滴;激光源,适于产生激光束,使激光束从液滴阵列上方入射并旋转扫描,依次轰击到达环形辐射位置的液滴,液滴受到激光轰击时形成等离子体,等离子体辐射极紫外光;聚光器,位于液滴阵列上方,适于旋转扫描并同时收集辐射的极紫外光,并将收集的极紫外光汇聚于环形辐射位置下方的中心焦点。
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