半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供包括基底、绝缘层和半导体层的衬底；在半导体层内形成若干第一开口，第一开口底部暴露出绝缘层表面，且相邻第一开口之间的距离为第一距离；在第一开口的半导体层侧壁表面形成侧墙；以半导体层和侧墙为掩膜，刻蚀第一开口底部的绝缘层和基底，在绝缘层和基底内形成第二开口；对第二开口暴露出的基底侧壁进行刻蚀，使相邻第二开口的基底侧壁之间具有第二距离，且第二距离小于第一距离；在对第二开口内的基底侧壁进行刻蚀之后，在第二开口和第一开口内形成隔离层；在形成隔离层之后，在半导体层表面形成栅极结构；在栅极结构两侧的衬底表面形成导电结构。所形成的半导体结构改善。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、位于基底表面的绝缘层、以及位于绝缘层表面的半导体层；在半导体层内形成若干第一开口，所述第一开口底部暴露出所述绝缘层表面，且相邻第一开口之间的距离为第一距离；在所述第一开口的半导体层侧壁表面形成侧墙；以所述半导体层和侧墙为掩膜，刻蚀所述第一开口底部的绝缘层和基底，在所述绝缘层和基底内形成第二开口；对所述第二开口暴露出的基底侧壁进行刻蚀，使所述相邻第二开口的基底侧壁之间具有第二距离，且所述第二距离小于第一距离；在对所述第二开口内的基底侧壁进行刻蚀之后，在所述第二开口和第一开口内形成隔离层；在形成隔离层之后，在所述半导体层表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底表面形成导电结构。