发明名称 | 一种半周期交错余弦端面栅慢波结构 | ||
摘要 | 本发明一种半周期交错余弦端面栅慢波结构。该慢波结构包括壳体,形成在内腔第一边上的多个第一栅体和形成在内腔与第一边相对的第二边上的多个第二栅体,第一栅体与第二栅体沿慢波结构轴线交错排列,第一栅体和第二栅体之间形成有电子注通道,其特征在于,所述各第一栅体和第二栅体垂直于轴线的端面分别在电子注通道侧具有余弦轮廓。本发明降低了慢波结构的高频损耗,增加了冷带宽,适用于太赫兹器件效率和带宽的提高。 | ||
申请公布号 | CN105575745A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
申请号 | CN201511018322.X | 申请日期 | 2015.12.30 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 发明人 | 蔡军;冯进军;邬显平 |
分类号 | H01J23/28(2006.01)I | 主分类号 | H01J23/28(2006.01)I |
代理机构 | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人 | 张雪梅;张文祎 |
主权项 | 一种交错双栅慢波结构,包括壳体,形成在内腔第一边上的多个第一栅体和形成在内腔与第一边相对的第二边上的多个第二栅体,第一栅体与第二栅体沿慢波结构轴线交错排列,第一栅体和第二栅体之间形成有电子注通道,其特征在于,所述各第一栅体和第二栅体垂直于轴线的端面分别在电子注通道侧具有余弦轮廓。 | ||
地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路13号 |