一种半导体结构的制作方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的制作方法，至少包括以下步骤：S1：提供一晶圆，从背面进行减薄，将厚度减薄至300微米以下；S2：在晶圆正面涂覆光刻胶，光刻显影后，将剩余的光刻胶高温固化作为钝化层；S3：在晶圆正面贴上UV膜以支撑晶圆，然后将晶圆正面朝下放置，对晶圆背面进行等离子体处理，去除晶圆背面的残留钝化层；S4：对晶圆正面进行UV光照射，使UV膜失去粘性，然后撕去UV膜，并在晶圆背面制作激光标记。本发明在减薄后的晶圆正面贴膜对晶圆进行支撑及保护，并采用晶圆级等离子体处理去除了制程中薄片晶圆背面由残留光刻胶高温固化而成钝化层，从而在晶圆背面制作得到清晰的激光标记，并有利于芯片的封装，可以有效避免晶圆报废，提升良率。

主权项

一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一晶圆，从所述晶圆背面进行减薄，将所述晶圆的厚度减薄至300微米以下；S2：在所述晶圆正面涂覆光刻胶，光刻显影后，将剩余的光刻胶高温固化作为钝化层；S3：在所述晶圆正面贴上UV膜以支撑所述晶圆，然后将所述晶圆正面朝下放置，对晶圆背面进行等离子体处理，去除所述晶圆背面的残留钝化层；S4：对所述晶圆正面进行UV光照射，使所述UV膜失去粘性，然后撕去所述UV膜，并在所述晶圆背面制作激光标记。