发明名称 |
薄膜晶体管的制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法,所述薄膜晶体管的制造方法包括:提供承载体,所述承载体包括相对设置的第一表面及第二表面;在所述承载体的第一表面上形成间隔设置的光阻单元,相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面;沉积金属,通过所述间隙露出的第一表面上形成金属层,其中,所述金属层为遮光层、栅极、源极、漏极、存储电极中的任意一种或多种;剥离所述光阻单元。本发明能够减小薄膜晶体管的制作的时间周期。 |
申请公布号 |
CN105575817A |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201510951852.3 |
申请日期 |
2015.12.17 |
申请人 |
武汉华星光电技术有限公司 |
发明人 |
吕明仁 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 44202 |
代理人 |
郝传鑫;熊永强 |
主权项 |
一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述薄膜晶体管的制造方法包括:提供承载体,所述承载体包括相对设置的第一表面及第二表面;在所述承载体的第一表面上形成间隔设置的光阻单元,相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面;沉积金属,通过所述间隙露出的第一表面上形成金属层,其中,所述金属层为遮光层、栅极、源极、漏极、存储电极中的任意一种或多种;剥离所述光阻单元。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市武汉东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 |