半导体器件和制造方法以及电子设备

摘要

本公开涉及一种能够以高精度制造堆叠结构的半导体器件和制造方法以及电子设备。一种固态图像传感器包括：半导体衬底，其中形成光电二极管；以及外延层，其中形成转移晶体管，所述转移晶体管堆叠在所述半导体衬底的所述光电二极管上，所述外延层是通过在所述半导体衬底上生长具有对准晶轴的晶体层来形成的。对准测量标记的端部处形成的凹角部分被形成为与用于检测所述对准测量标记的检测区域相距预定距离，所述对准测量标记用于进行针对执行形成所述外延层的步骤之前和之后的相对调节的对准测量。本技术可应用于例如具有堆叠结构的各种半导体器件。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体层，其中形成预定的第一元件；以及生长层，其中形成堆叠在所述半导体层的所述第一元件上的第二元件，所述生长层是通过在所述半导体层上生长具有对准晶轴的晶体层来形成的，其中，形成在测量标记的端部处的凹角部分被形成为与用于检测所述测量标记的检测区域相距预定距离，所述测量标记用于进行针对执行形成所述生长层的步骤之前和之后的相对调节的测量。