发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
明的目的之一在于提供一种在储存保持期间中即使在没有电力提供的情况下也可以保持储存内容且对写入次数没有制限的新颖结构的半导体装置。该半导体装置,包括:具有使用氧化物半导体以外的半导体材料的第一通道形成区的第一电晶体;第一电晶体的上方的具有使用氧化物半导体材料的第二通道形成区的第二电晶体;以及电容元件,其中,第二电晶体的第二源极电极和第二汲极电极中的一方与电容元件的电极的一方电连接。
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申请公布号 |
TWI533439 |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
TW102125718 |
申请日期 |
2010.12.21 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平;小山润;加藤清 |
分类号 |
H01L27/11(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/11(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种半导体装置,包含:第一电晶体,包含:包含氧化物半导体以外的半导体材料的第一通道形成区域;以夹着该第一通道形成区域的方式设置的一对杂质区域;在该第一通道形成区域上的第一闸极绝缘层;在该第一闸极绝缘层上的第一闸极电极;以及电性连接于该一对杂质区域中的其中一个的第一源极电极及电性连接于该一对杂质区域中的另一个的第一汲极电极;在该第一电晶体上的层间绝缘膜;在该层间绝缘膜上的第二电晶体,包含:第二源极电极及第二汲极电极;包含氧化物半导体材料且电性连接于该第二源极电极及该第二汲极电极的第二通道形成区域;在该第二通道形成区域上的第二闸极绝缘层;以及在该第二闸极绝缘层上的第二闸极电极;以及在该层间绝缘膜上的电容器,包含:该第二源极电极和该第二汲极电极的其中之一者,作为该电容器的一个电极;该第二闸极绝缘层;以及
在该第二闸极绝缘层上的电容器电极,作为该电容器的另一个电极。
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地址 |
日本 |