静态随机存取记忆体之读取延迟补偿电路

摘要

静态随机存取记忆体之读取延迟补偿电路包含一SRAM细胞模组、一比较器及一补偿电路，该SRAM细胞模组提供一漏电流讯号，该比较器接收该漏电流讯号及一参考讯号，该比较器比较该漏电流讯号及该参考讯号之大小而输出一警讯讯号，该补偿电路具有一第一电晶体及一第二电晶体，该第一电晶体接收该警讯讯号，该第二电晶体连接该静态随机存取记忆体之一位元线，该静态随机存取记忆体之一互补位元线经由该第一电晶体及该第二电晶体连接一电源端，当该SRAM细胞模组受到漏电流影响时，该比较器输出之该警讯讯号启动该补偿电路，以补偿该静态随机存取记忆体因漏电流而产生的读取延迟。

主权项

一种静态随机存取记忆体之读取延迟补偿电路，其用以补偿一静态随机存取记忆体之读取延迟，该静态随机存取记忆体具有一互补位元线及经由一反向器连接该互补位元线之位元线，该读取延迟补偿电路包含： 一SRAM细胞模组，其用以提供一漏电流讯号； 一比较器，接收该漏电流讯号及一参考讯号，该比较器比较该漏电流讯号及该参考讯号之大小而输出一警讯讯号；以及 一补偿电路，具有一第一电晶体及一第二电晶体，该第一电晶体连接该比较器，以接收该警讯讯号，该第二电晶体连接该静态随机存取记忆体之该位元线，该静态随机存取记忆体之该互补位元线经由该第一电晶体及该第二电晶体连接一电源端。