IGBT驱动装置

摘要

本发明公开了一种IGBT驱动装置，用于驱动一IGBT管，所述IGBT管具有一栅极、一集电极和一发射极，所述IGBT驱动装置还包括一开关信号生成模块和一加速关断模块；其中所述开关信号生成模块生成一脉冲信号，所述IGBT管的栅极通过所述脉冲信号使得所述IGBT管开通或关断；所述加速关断模块跨接于所述IGBT管的栅极和发射极之间，当所述IGBT管关断时，用于加速降低所述IGBT管栅极的电压。本发明的IGBT驱动装置通过加速关断模块加速减少所述IGBT管中的电荷，进而提高IGBT管的关断可靠性。而且本发明的IGBT驱动装置仅采用单电源模式，从而简化了IGBT驱动装置的结构。

主权项

一种IGBT驱动装置，用于驱动一IGBT管，所述IGBT管具有一栅极、一集电极和一发射极，其特征在于，所述IGBT驱动装置包括：一开关信号生成模块和一加速关断模块；其中所述开关信号生成模块生成一脉冲信号，所述IGBT管的栅极通过所述脉冲信号使得所述IGBT管开通或关断；所述加速关断模块跨接于所述IGBT管的栅极和发射极之间，当所述IGBT管关断时，用于加速降低所述IGBT管栅极的电压；所述IGBT驱动装置还包括一变压器，所述变压器具有一第一侧和一第二侧，所述第一侧与所述开关信号生成模块电连接，所述第二侧与IGBT管和加速关断模块电连接；所述IGBT驱动装置还包括连接于所述变压器的第一侧和所述开关信号生成模块之间的一变压器缓冲模块，所述变压器缓冲模块用于滤除或吸收所述变压器的第一侧中的电涌；所述IGBT驱动装置中还包括一稳压模块，其中所述稳压模块用于稳定所述IGBT管的栅极上的电压；所述开关信号生成模块包括一电源、一MOS管以及一振荡器，所述MOS管具有一栅极、一源极和一漏极，其中所述MOS管的栅极与所述振荡器电连接，所述MOS管的漏极接地，所述MOS管的源极分别与所述电源和所述变压器的第一侧电连接；所述开关信号生成模块中还包括一滤波模块，用于滤除所述振荡器生成的信号中的噪声；所述变压器缓冲模块电连接于所述电源和所述MOS管的源极之间；其中所述变压器缓冲模块包括一第一电阻和一第一二极管，其中所述第一电阻的一第一端与所述第一二极管的阳极电连接，所述第一电阻的一第二端与所述MOS管的源极电连接，所述第一二极管的阴极与所述电源电连接。