| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底表面形成初始应力层，所述初始应力层的材料为无定形态；在所述初始应力层表面形成覆盖应力层；在形成覆盖应力层之后，采用固相工艺使所述初始应力层的材料转化为晶态材料，形成源漏应力层。所形成的半导体结构形貌改善、性能提高。 | ||
| 申请公布号 | CN105575808A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201410528397.1 | 申请日期 | 2014.10.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 洪中山 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底表面形成初始应力层，所述初始应力层的材料为无定形态；在所述初始应力层表面形成覆盖应力层；在形成覆盖应力层之后，采用固相工艺使所述初始应力层的材料转化为晶态材料，形成源漏应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||