一种射频MEMS开关及其制造方法

摘要

本发明公开了一种射频MEMS开关及其制造方法，该射频MEMS开关的结构特点为硅-硅双层结构，包括衬底、介质层、驱动电极、隔离层、信号线、地线和盖帽；信号线包括信号线输入电极、柱状锚点、两个固定梁、横梁、多触点系统和信号线输出电极。两个固定梁一端固定在柱状锚点上表面，另一端与横梁的固定端连接，多触点系统位于横梁自由端的下方，驱动电极位于横梁下方，硅帽上加工凹槽和通孔，通孔的位置与信号线输入电极、信号线输出电极、地线和驱动电极相对应。本发明的射频MEMS开关，有效的降低了开关的驱动电压，提高了触点的寿命，用硅帽对横梁进行保护使其不受环境影响，提高了开关的可靠性。

主权项

一种射频MEMS开关，其特征在于包括：衬底(2)、介质层(3)、驱动电极(4)、隔离层(5)、信号线、地线(13)和盖帽(14)；所述信号线包括信号线输入电极(6)、柱状锚点(7)、两个带有转折结构的固定梁(8)、横梁(9)、多触点系统(11)和信号线输出电极(12)；其中每个固定梁(8)至少有六个转折部分；衬底(2)上设置有介质层(3)，介质层(3)上设置有驱动电极(4)、信号线输入电极(6)、信号线输出电极(12)和地线(13)，信号线输入电极(6)上加工有柱状锚点(7)，两个固定梁(8)的一端均固定在柱状锚点(7)的上表面，两个固定梁(8)另一端与横梁(9)的固定端连接，两个固定梁(8)与横梁(9)高度相同且上表面平齐，横梁(9)上设计有网孔(10)，横梁(9)自由端的下方对应有多触点系统(11)，所述多触点系统(11)位于信号线输出电极(12)上；驱动电极(4)插入横梁(9)下方，且位于横梁(9)下方的部分上加工有隔离层(5)；地线(13)包含第一地线(13a)、第二地线(13b)和第三地线(13c)，第一地线(13a)和第二地线(13b)分别位于信号线的两侧，其中，第二地线(13b)被驱动电极(4)隔开，通过位于驱动电极(4)上的第三地线(13c)相连接；盖帽(14)为尺寸与衬底(2)相匹配的实心体，盖帽(14)与衬底(2)键合连接，盖帽(14)上与信号线相对应的位置开有凹槽(16)，用于为横梁(9)提供运动空间，盖帽(14)上加工有五个通孔(15)，分别与信号线输入电极(6)、信号线输出电极(12)、第一地线(13a)、第二地线(13b)和驱动电极(4)对应。