| 发明名称 | 半导体衬底、器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体衬底的制造方法，包括：提供体衬底；刻蚀衬底，以形成有源区和沟槽，有源区的表面上形成有掩膜层；采用各项同性刻蚀继续刻蚀衬底，以在有源区下形成开口；填充沟槽，以形成隔离和空腔。由于空腔的存在，明显减小了器件的漏电流和功耗，增加了器件的集成度，起到类似SOI器件的效果。而与SOI器件相比，具有更好的散热性能且避免了浮体效应的产生，且避免了SOI晶圆成本过高的限制。此外，空腔处较低的空气介电常数，使得器件可承受较高的电压。 | ||
| 申请公布号 | CN105576027A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201410553512.0 | 申请日期 | 2014.10.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 许静;闫江;唐兆云;王红丽;唐波;徐烨锋;李春龙;杨萌萌;陈邦明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;吴兰柱 |
| 主权项 | 一种半导体衬底的制造方法，其特征在于，包括：提供体衬底；刻蚀衬底，以形成有源区和沟槽，有源区的表面上形成有掩膜层；继续刻蚀衬底，以在有源区下形成开口；填充沟槽，以形成隔离和空腔。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||