| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 实施方式的半导体装置的制造方法包含以下步骤：在设于第1基板及第2基板的各表面的绝缘层的表面形成开口；向开口埋入金属；使绝缘层的表面活化；通过碳酸水对第1基板侧的开口所埋入的金属的表面进行清洗；以及将第1基板侧的绝缘层与第2基板侧的绝缘层贴合，而将第1基板侧的埋入的金属与第2基板侧的埋入的金属连接。 | ||
| 申请公布号 | CN105575891A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201510740864.1 | 申请日期 | 2015.11.04 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 谷田一真;芦立浩明 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于包含以下步骤：在设于第1基板及第2基板的各表面的绝缘层的表面形成开口；在所述开口埋入金属；使所述绝缘层的表面活化；通过碳酸水对埋入所述第1基板侧的所述开口的金属的表面进行清洗；以及将所述第1基板侧的所述绝缘层与所述第2基板侧的所述绝缘层贴合，而将所述第1基板侧的所述埋入的金属与所述第2基板侧的所述埋入的金属连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||