发明名称 成膜装置及喷头
摘要 本发明提供成膜装置及喷头。成膜装置包括:载置台,其用于载置基板,并以轴线(X)为中心进行旋转;单元(U),其以下表面与载置台相对的方式设置在第1区域内,且在该单元(U)的内部具有第1缓冲空间及第2缓冲空间;以及流量控制器,其用于独立控制向第1缓冲空间及第2缓冲空间供给的前体气体的流量。在单元(U)的下表面上设有:内侧喷射部,其具有与第1缓冲空间相连通、并用于喷射被供给到第1缓冲空间的前体气体的多个喷射口;以及中间喷射部,其具有与第2缓冲空间相连通、并用于喷射被供给到第2缓冲空间的前体气体的多个喷射口。内侧喷射部所含有的第1喷射口均设置在比中间喷射部所含有的第2喷射口靠近轴线(X)的位置。
申请公布号 CN105568255A 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201510724985.7 申请日期 2015.10.29
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 岩崎征英;野泽俊久;山下晃平
分类号 C23C16/455(2006.01)I 主分类号 C23C16/455(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;张会华
主权项 一种成膜装置,其中,该成膜装置包括:载置台,其用于载置被处理基板,设置为能够以轴线为中心进行旋转,以使得所述被处理基板在所述轴线的周围移动;喷头,其以下表面与所述载置台相对的方式设置在通过所述载置台的旋转而相对于所述轴线沿周向移动的所述被处理基板所依次通过的多个区域中的一个区域内,且在该喷头的内部至少具有第1缓冲空间和第2缓冲空间;以及流量控制部,其用于独立控制向所述第1缓冲空间和所述第2缓冲空间供给的处理气体的流量;在所述喷头的下表面上设有:多个第1喷射口,其与所述第1缓冲空间相连通,用于向下方喷射被供给到所述第1缓冲空间的所述处理气体;以及多个第2喷射口,其与所述第2缓冲空间相连通,用于向下方喷射被供给到所述第2缓冲空间的所述处理气体;所述第1喷射口均设置在比所述第2喷射口靠近所述轴线的位置。
地址 日本东京都