肖特基二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种肖特基二极管，包括金半接触结和位于所述金半接触结周侧的PN结；金半接触结的N型区由位于场氧的底部的N型掺杂区组成；金半接触结的金属形成于场氧去除后的N型掺杂区表面。PN结的P型区形成于金半接触结周侧的有源区中，组成金半接触结的N型区的N型掺杂区同时延伸到有源区中组成PN结的N型区；PN结的P型区的底部区域还延伸到场氧的底部并且金半接触结相交叠。本发明还公开了一种肖特基二极管的制造方法。本发明能提高金半接触结性能的稳定性，提高器件的击穿电压，减少器件的反向漏电。

主权项

一种肖特基二极管，形成于半导体衬底上，在所述半导体衬底上形成有场氧，由所述场氧隔离出有源区，其特征在于：肖特基二极管包括金半接触结和位于所述金半接触结周侧的PN结；所述金半接触结的N型区由位于所述场氧的底部的形成于所述半导体衬底中的N型掺杂区组成；所述金半接触结的金属由将所述场氧的位于所述金半接触结区域的部分去除后形成在所述金半接触结的N型区表面的金属组成；所述PN结的P型区形成于所述金半接触结对应的所述场氧周侧的所述有源区中，组成所述金半接触结的N型区的N型掺杂区同时延伸到所述金半接触结对应的所述场氧周侧的所述有源区中并将所述PN结的P型区包围从而组成所述PN结的N型区；所述PN结的P型区的底部区域还延伸到所述场氧的底部并且所述金半接触结相交叠。