发明名称 |
一种异质外延生长氮化镓(GaN)的方法 |
摘要 |
本发明属于半导体光电子领域,涉及半导体薄膜材料的外延生长和氢化物气相沉积(HVPE)技术领域,为一种异质外延生长氮化镓(GaN)的方法。该方法不仅操作简便,成本低廉,还能够显著降低外延膜因热应力产生的翘曲度,以获得接近零翘曲的GaN外延层。 |
申请公布号 |
CN105568386A |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201511032117.9 |
申请日期 |
2015.12.31 |
申请人 |
上海澜烨材料技术有限公司 |
发明人 |
王嘉;谢亚宏;胡晓东;秦宇航 |
分类号 |
C30B29/40(2006.01)I;C30B25/12(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/40(2006.01)I |
代理机构 |
上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) 31290 |
代理人 |
叶凤 |
主权项 |
一种异质外延生长氮化镓(GaN)的方法,其特征在于,在双面抛光的衬底两面利用氢化物气相外延(HVPE)系统同时生长氮化镓外延膜。 |
地址 |
201702 上海市青浦区盈港东路8300弄6-7号1幢3层U区386室 |