| 发明名称 | 晶体硅太阳能电池的硼扩散装置及方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的硼扩散装置及方法。硼扩散装置包括：炉管，具有第一进气口；以及尾气瓶，与炉管的尾部连通；第一进气口设置在炉管的管壁上，且位于炉管的水平方向中分面以上。通过将进气口设置在炉管的水平方向中分面以上的管壁上，相对于现有技术中将进气口设置在炉管的水平方向中分面上的情况，提高了硼源进气口距离硅片的相对高度，延长了硅片沉积扩散的时间和距离，较好地解决了硼源在扩散过程中因重力太大导致较快地沉积到炉管底部，以至于部分硅片表面扩散方阻均匀性差的问题，避免了过多的硼沉积到炉管底部生成硼硅玻璃（BGS）造成硼源浪费的问题，减少了硼源耗量，从而提高了太阳电池转换效率产率。 | ||
| 申请公布号 | CN103633190B | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201310627425.0 | 申请日期 | 2013.11.29 |
| 申请人 | 英利集团有限公司 | 发明人 | 袁广锋;何广川;陈艳涛;李雪涛 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种用于晶体硅太阳能电池的硼扩散装置，包括：炉管(10)，具有第一进气口(12)；以及尾气瓶(20)，与所述炉管(10)的尾部连通；其特征在于，所述第一进气口(12)设置在所述炉管(10)的管壁上，且位于所述炉管(10)的水平方向中分面以上，所述第一进气口(12)设置在靠近炉门(11)一端的所述炉管(10)的管壁上。 | ||
| 地址 | 071051 河北省保定市朝阳北大街3399号 | ||