集成电路连接器存取区域及其制造方法

摘要

本发明公开了一种集成电路连接器存取区域及其制造方法。集成电路装置的连接器存取区域包括一组朝一第一方向延伸的平行导体以及多个层间连接器。这些导体包括一组位于不同导体上的导电接触区域，这些导电接触区域定义一接触平面，导体延伸在接触平面下方。一组接触区域定义一条与第一方向夹出一斜角(例如小于45°或5°至27°)的线。层间连接器是与接触区域电性接触，并延伸在接触平面上方。至少某些层间连接器伏在邻接于接触区域的导电体上面，但与邻接于接触区域的导电体电性地隔离，层间连接器是与接触区域电性接触。此组平行导体可包括一组导电层，其中接触平面大致垂直于导电层。

主权项

一种集成电路装置，该集成电路装置包括一连接器存取区域，其中，该连接器存取区域包括：一组平行导体，朝一第一方向延伸；该组平行导体包括一组位于不同导体上的导电接触区域，该组导电接触区域定义一接触平面，该组平行导体延伸在该接触平面下方；该组导电接触区域定义一条与该第一方向夹出一斜角的线；多个层间连接器，与该组导电接触区域电性接触，该多个层间连接器延伸在该接触平面上方；该多个层间连接器的至少某些伏在邻接于该组导电接触区域的该组平行导体上，但与邻接于该组导电接触区域的该组平行导体电性地隔离，该多个层间连接器是与该组导电接触区域电性接触。